快科技 1 月 20 日消息，美光近日宣布，其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的巨型 DRAM 内存晶圆厂正式破土动工。

据悉，该项目总投资规模达 1000 亿美元，规划兴建多达四座晶圆厂，建成后将成为美国最大的半导体制造基地，并为当地创造约 5 万个就业机会。

美光表示，纽约晶圆厂将成为全球最先进的存储器制造基地之一，以支持人工智能、数据中心与高效能运算等长期需求。

该项目也是美光约 1,000 亿美元美国扩产计划的核心工程，AG庄闲和游戏并获得《芯片与科学法案》政策支持。

该厂预计于 2030 年前后开始投产，并于未来十年逐步提升产能。 美光指出，相关投资将有助于实现 40% DRAM 产品于美国本土生产的目标，并强化美国半导体供应链韧性。

美国商务部长卢特尼克（Howard Lutnick）16 日出席美光纽约州新厂动土典礼时放话，声称不在美国生产的存储制造商，可能面临 100% 关税。

根据科技新闻网站 Wccftech 表示，该威胁首当其冲就是瞄准韩国三星和 SK 海力士，至于中国台湾的南亚科和华邦电也恐将面临麻烦。